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單晶硅差壓變送器MEMS-3051
發(fā)布時間:2023-09-20 12:38

 
通用技術性能和參數(shù)
輸出信號:4~20MA.DC二線制(模擬)
        二線制4~20mA直流信號上疊加數(shù)字信號,由用戶選擇線性或開方輸出。
供電電源:18~36V.DC
電源影響:<0.005%/V
負載影響:電源穩(wěn)定時,無負載影響。
測量精度:調(diào)校量程的±0.075% ,±0.1%,±0.2%,±0.5%
        (標配精度為±0.5%,若選擇其他精度請在訂貨選型時注明。)
遷移特性:正遷移量100%
        負遷移量100%
注: ① 負遷移量,不大于一個工程大氣壓。
     ② 遷移后的上限或下限絕對值,均不應超過測量范圍的上限值。
     ③ 差壓流量變送器遷移會破壞開方特性,故不能進行遷移。
     ④ 絕對壓力變送器不能進行負遷移。
阻     尼:通常可在0.2~1.67秒之間可調(diào),當灌充惰性液或帶遠傳裝置時,時間常數(shù)會增大。
啟動時間:<2秒,不需預熱
工作環(huán)境:環(huán)境溫度 -29~93℃(模擬放大器)
         -29~85℃(數(shù)字/智能放大器)
        環(huán)境濕度   0~95%
防護特性:防護能力 IP65
防爆類型:隔爆型   Exd II BT4-6
         本安型   Exia II CT5
靜壓影響:DP類零位誤差:對于14MPa,±0.1%量程限值或±0.25%量程限值(量程代號為3),在管道壓力下通過調(diào)零給予校正。
HP類零位誤差:±0.5%量程限值,對于32MPa在管道壓力下通過調(diào)零給予校正。
電磁輻射影響:0.05%量程值,接受輻射頻率27~500MHz,試驗場強3V/m。
振動影響:任何方向200Hz振動時,±0.05%/g。
安裝位置:膜片未垂直安裝,可能產(chǎn)生小于0.24kPa的零點誤差,但可通過調(diào)零來消除。
 
 
 
 
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